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    氦質譜檢漏技術在繼電器及集成電路外殼中的應用

    氦質譜檢漏技術在繼電器及集成電路外殼中的應用

    著航天技術的不斷發展,泄漏問題已經成為航天產品設計制造中必須考慮的關鍵因素,越來越多的收到各方關注,相關電子元器件漏率檢測已經引起科研人員的高度重視,目前應用檢漏技術的主要是為密封繼電器、集成電路外殼。

    利用氦質譜檢漏儀可以方便地對密封繼電器作漏率測定。針對不同的產品,采用合適的檢漏方法。

    目前軍用密封繼電器的漏率檢測主要是GJB360A-96的112實驗程序。實驗程序中明確規定了密封繼電器的檢漏條件及步驟,本次主要討論背壓法檢漏屬于檢漏步驟中的細檢漏。

    繼電器的背壓檢漏法一般分為三步:1加氦壓:將被檢繼電器放入充氦的壓力罐中;2凈化:從壓力罐中取出繼電器,用氮氣流或者空氣流吹凈繼電器表面吸附的氦氣。3檢漏:將繼電器放入檢漏儀的檢漏盒中進行檢測,若繼電器有漏,壓入內腔的氦氣會經過漏孔進入檢漏儀,儀器上會有漏率顯示。

    在GJB360A-96中明確規定,選擇的加壓壓力,加壓時間,Z大停留時間應使被檢樣品的規定漏率大于檢漏儀的Z小可檢漏率。因為漏孔太大時,加氦壓時壓入的氦氣在檢漏前的抽真空狀態就已抽光,故撿不到氦??梢杂梅头ㄟM行粗檢漏,以檢驗大漏孔的存在。



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